PUMX1,115, Транзистор: NPN x2, биполярный, 40В, 0,1А, 300мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650191
- Артикул
- PUMX1,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.2 mm
- Высота
- 1 mm
- Корпус
- SOT-363
Цена по запросу
(от 10,78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN x2, биполярный, 40В, 0,1А, 300мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.2 mm |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-363 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Transistor Type | 2 NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | PUMX1 T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 1 mA at 6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |