Моя заявка (0)

PUMD16,115, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В

PUMD16,115, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024650507
Артикул
PUMD16,115
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.04
Длина
2.2 mm
Высота
1 mm
Корпус
TSSOP6
Цена по запросу
(от 12,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В

Технические параметры

Вес, г0.04
Длина2.2 mm
Высота1 mm
КорпусTSSOP6
Ширина1.35 mm
Input Resistor22kΩ
Resistor Ratio2.1
Transistor Type1 NPN-Pre-Biased, 1 PNP-Pre-Biased
Структураnpn
Operating Temperature-
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)300mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)-
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSC-88-6
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@5mA, 5V
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)1.1V@2mA, 0.3V
Output Voltage (VO(on)@Io/Ii)-
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce)800mV@100uA, 5V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество каналов2 Channel
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №PUMD16 T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@10mA, 0.5mA
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление22 kOhms
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора0.476
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80

Техническая документация