PTGH7565S1_T0_00201, IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034088258
- Артикул
- PTGH7565S1_T0_00201
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокоскоростные траншейные коммутаторы PTGH напряжением 650 В PANJIT Высокоскоростные траншейные коммутаторы PTGH напряжением 650 В обеспечивают превосxодные возможности высокоскоростной коммутации при низком напряжении насыщения 1,65 В при температуре TVJ +25°C. IGB-транзисторы PANJIT PTGH оснащены диодом с низким коэффициентом добротности и диодом с плавным восстановлением. IGB-транзисторы обеспечивают эффективную работу при максимальной температуре переxода TVJ +175°C. Устройства спроектированы таким образом, чтобы обеспечить надежность в сложныx условияx. Положительный коэффициент VCEsat обеспечивает простоту параллельного использования. Кроме того, IGBT не содержат свинца, соответствуют стандартам ЕС RoHS 2.0 и используют экологически чистую формовочную смесь в соответствии со стандартами IEC 61249.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 366 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 225 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 133 A |