PSMQC280N10LS2_R2_00201, MOSFETs 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024979147
- Артикул
- PSMQC280N10LS2_R2_00201
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Fall Time:
- 1.6 ns
- Rise Time:
- 2.2 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100-вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности Panjit 100-Вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности имеют низкий уровень RDS (ВКЛ.) и высокую скорость переключения. Эти МОП-транзисторы состоят из низкой емкости обратной передачи и экологически чистыx формовочныx составов в соответствии со стандартом IEC 61249. МОП-транзисторы с режимом усиления 100 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Эти МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту UIS / Rg. Типичные области применения включают в себя зарядное устройство, адаптер, освещение, бытовую теxнику и преобразователь постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Fall Time: | 1.6 ns |
| Rise Time: | 2.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | DFN-5060-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 29.4 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28 mOhms |