Моя заявка (0)

PSMQC060N06LS1- AU_R2_006A1, MOSFETs 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting

PSMQC060N06LS1- AU_R2_006A1, MOSFETs 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024841977
Артикул
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
33 ns
Rise Time:
85 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 186,28 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60-вольтовые МОП-транзисторы PANJIT с N-канальным режимом усиления в корпусе DFN5060-8L, соответствующем стандарту AEC-Q101, обеспечивают низкую емкость обратной передачи. Работая в диапазоне температур переxода от -55°C до +150°C, эти МОП-транзисторы обеспечивают максимальную рассеиваемую мощность в диапазоне от 20 Вт до 50 Вт и лавинообразную мощность одиночного импульса (ток 28 А, энергия 39 МДж). Области применения включают автомобильное светодиодное освещение, беспроводные зарядные устройства и преобразователи постоянного тока.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:33 ns
Rise Time:85 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:DFN-5060-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:PSMQC060N06LS1-AU
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:50 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:31 ns
Typical Turn-Off Delay Time:65 ns
Id - Continuous Drain Current:68 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6m Ом

Техническая документация