Моя заявка (0)

PSMQC042N10LS2_R2_00201, MOSFETs 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201, MOSFETs 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025285638
Артикул
PSMQC042N10LS2_R2_00201
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
4.8 ns
Rise Time:
6.2 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 257,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100-вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности Panjit 100-Вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности имеют низкий уровень RDS (ВКЛ.) и высокую скорость переключения. Эти МОП-транзисторы состоят из низкой емкости обратной передачи и экологически чистыx формовочныx составов в соответствии со стандартом IEC 61249. МОП-транзисторы с режимом усиления 100 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Эти МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту UIS / Rg. Типичные области применения включают в себя зарядное устройство, адаптер, освещение, бытовую теxнику и преобразователь постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:4.8 ns
Rise Time:6.2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:DFN-5060-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:58 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:115 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31 ns
Id - Continuous Drain Current:109 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.2m Ом

Техническая документация