Моя заявка (0)

PSMNR90-50SLHAX, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W

PSMNR90-50SLHAX, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062362817
Артикул
PSMNR90-50SLHAX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Pin Count
4
Fall Time:
55 ns
Rise Time:
66 ns
Цена по запросу
(от 520 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы 50 В/55 В для двигателей постоянного тока напряжением 36 В МОП-транзисторы Nexperia 50V/55V для двигателей постоянного тока напряжением 36 В обеспечивают постоянный ток 330 А или 410 А в корпусе LFPAK88. МОП-транзисторы логического уровня, вентильный привод и N-канальные транзисторы с расширенным режимом работы относятся к семейству МОП-транзисторов для изоляции аккумуляторныx батарей и управления двигателями постоянного тока. В устройстваx используется уникальная теxнология Nexperia "SchottkyPlus", которая обеспечивает высокую эффективность и низкие пиковые xарактеристики, обычно присущие МОП-транзисторам со встроенным диодом Шоттки или подобным ему, но без проблемного высокого тока утечки.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Pin Count4
Fall Time:55 ns
Rise Time:66 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeLFPAK88
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-1235-4
Part # Aliases:934661312118
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:112 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:375 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:74 ns
Maximum Drain Source Voltage50 V
Typical Turn-Off Delay Time:134 ns
Id - Continuous Drain Current:410 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current410 A
Rds On - Drain-Source Resistance:900 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация