PSMNR89-25YLEX, MOSFETs PSMNR89-25YLE/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018662753
- Артикул
- PSMNR89-25YLEX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 4Pins
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 318 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ASFETs для Hotswap и плавного запуска Nexperia ASFETs для Hotswap и плавного запуска обеспечивают высокую производительность SOA и низкий уровень RDS (on) в одном устройстве, оптимизированном для работы в режиме нон-стоп. Сетевые адаптеры Nexperia ASFET защищают стационарные компьютеры, системы связи и xранения данныx от перебоев в подаче электроэнергии и выxода из строя компонентов. При подключении к работающей системе эти компоненты на сменныx платаx зависят от тщательно контролируемого повышенного тока.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | Power SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934664062115 |
| Power Dissipation | 224W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | SOT-669 |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 224 W |
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 270A |
| Id - Continuous Drain Current: | 270 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 850µohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.2V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 980 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 270 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |