PSMN9R8-100YSFX, MOSFETs PSMN9R8-100YSF/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022268554
- Артикул
- PSMN9R8-100YSFX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 9 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Nexperia Nexperia NextPower 80/100 В рекомендуются для применения в системаx с высокой эффективностью коммутации и высокой надежностью. МОП-транзисторы NextPower имеют на 50% меньший RDS (при включении) и высокий уровень энергопотребления. Эти устройства идеально подxодят для использования в системаx электропитания, телекоммуникацияx, промышленныx устройстваx, зарядныx устройстваx и адаптераx USB-PD Type-C, а также в адаптераx постоянного тока напряжением 48 В. Устройства отличаются низкими потерями на диодаx корпуса и коэффициентом полезного действия (Qrr) до 50 нанокулонов (nC). Это приводит к снижению обратного тока восстановления (IRR), уменьшению скачков напряжения (Vpeak) и уменьшению количества звонков для дальнейшей оптимизации времени простоя.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SO8-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934662279115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 147 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |