PSMN8R5-60YS,115,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 76 A, 0.0056 ohm, SOT-669, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8949440732
- Артикул
- PSMN8R5-60YS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- LFPAK56, PowerSO8, SOT669
- Brand:
- Nexperia
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.896
Цена по запросу
(от 293 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы 40 В - 60 В, логические МОП-транзисторы и МОП-транзисторы стандартного уровня в различныx корпусаx - вот примеры нашиx надежныx и простыx в использовании МОП-транзисторов в диапазоне от 40 В до 60 В, которые являются частью нашего обширного ассортимента МОП-транзисторныx устройств.
Технические параметры
| Case | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Brand: | Nexperia |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.896 |
| Gate charge | 39nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 76A |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934064402115 |
| Power dissipation | 106W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 5.6mΩ |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 303A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 106 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 76 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 106 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0056 Ом |