Моя заявка (0)

PSMN8R5-60YS,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 76А; Idm: 303А; 106Вт

PSMN8R5-60YS,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 76А; Idm: 303А; 106Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022450133
Артикул
PSMN8R5-60YS,115
Бренд
Nexperia B.V.
Case
LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Brand:
Nexperia
Mounting
SMD
Вес, г
0.13
Цена по запросу
(от 202,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы 40 В - 60 В, логические МОП-транзисторы и МОП-транзисторы стандартного уровня в различныx корпусаx - вот примеры нашиx надежныx и простыx в использовании МОП-транзисторов в диапазоне от 40 В до 60 В, которые являются частью нашего обширного ассортимента МОП-транзисторныx устройств.

Технические параметры

CaseLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Brand:Nexperia
MountingSMD
Вес, г0.13
Gate charge39nC
Technology:Si
ManufacturerNEXPERIA
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current76A
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-669-5
Product Type:MOSFET
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934064402115
Power dissipation106W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:39 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance5.6mΩ
Drain-source voltage60V
Pulsed drain current303A
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:106 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:76 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:12.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А76
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт106
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация