PSMN8R2-80YS,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026291028
- Артикул
- PSMN8R2-80YS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 4.1mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 258,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.1mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 82 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |