Моя заявка (0)

PSMN7R0-60YS,115, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 63А, 117Вт, LFPAK33

PSMN7R0-60YS,115, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 63А, 117Вт, LFPAK33

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024650187
Артикул
PSMN7R0-60YS,115
Бренд
Nexperia B.V.
Case
LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Type
N Channel
Brand:
Nexperia
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 142,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 89 А 117 Вт 6.4mOhm@10V,15 4 В при 1 мА N-канальные МОП-транзисторы SOT-669, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

CaseLFPAK56, PowerSO8, SOT669
TypeN Channel
Brand:Nexperia
MountingSMD
Вес, г0.12
Gate charge45nC
Technology:Si
ManufacturerNEXPERIA
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current63A
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFET
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-669-5
Part # Aliases:934064403115
Power dissipation117W
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:45 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-МОП
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance14.7mΩ
Drain-source voltage60V
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:1500
Power Dissipation (Pd)117W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:117 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)45nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.712nF@30V
Continuous Drain Current (Id)89A
Id - Continuous Drain Current:89 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе4V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А63
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт117
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.4mΩ@10V, 15A

Техническая документация