Моя заявка (0)

PSMN7R0-30MLC,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 67А; Idm: 270А; 57Вт

PSMN7R0-30MLC,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 67А; Idm: 270А; 57Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070087952
Артикул
PSMN7R0-30MLC,115
Бренд
Nexperia B.V.
RoHS
Details
Brand
Nexperia
Packaging
Reel
Technology
Si
Цена по запросу
(от 66,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-channel МОП-транзистор logic level LFPAK33

Технические параметры

RoHSDetails
BrandNexperia
PackagingReel
TechnologySi
Вес, г1
Channel TypeN Channel
ManufacturerNexperia
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseLFPAK33-5
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Power Dissipation57Вт
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity1500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation57 W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage2.15 V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокLFPAK33-5
Id - Continuous Drain Current67 A
Тип транзистора1 N-Channel
Drain Source On State Resistance0.00605Ом
Rds On - Drain-Source Resistance9 mOhms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Непрерывный Ток Стока67А
Рассеиваемая Мощность57Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.75В
Pd - рассеивание мощности57 W
Id - непрерывный ток утечки67 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки1500
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-1210
Vgs - напряжение затвор-исток2.15 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Максимальная Рабочая Температура175 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00605Ом

Техническая документация