PSMN7R0-100BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 475А; 269Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066861000
- Артикул
- PSMN7R0-100BS,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 269Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 100V 6.8 MOHM МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 269Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 125 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.0054Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 269Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 269 W |
| Другие названия товара № | 934066207118 |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 90 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0054Ом |