PSMN6R5-25YLC,115, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 64 A, 0.0055 ohm, LFPAK56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003713907
- Артикул
- PSMN6R5-25YLC,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 48Вт, SOT669 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Triple Source |
| Package Width | 4.1(Max) |
| Package Length | 5(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | LFPAK |
| Process Technology | NextPower |
| Структура | N-Channel |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 5.7 |
| Typical Rise Time (ns) | 8.6 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 48000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16|17.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16@10V|17.5@10V|8.4@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 25 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 64 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1093@12V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.5@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 64 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0055 Ом |