Моя заявка (0)

PSMN6R1-30YLDX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; Idm: 263А; 47Вт

PSMN6R1-30YLDX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; Idm: 263А; 47Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062067365
Артикул
PSMN6R1-30YLDX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
7.2 ns
Rise Time:
11 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 106,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:7.2 ns
Rise Time:11 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-669-5
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934067798115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:47 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:9.8 ns
Id - Continuous Drain Current:66 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.68 V

Техническая документация