PSMN5R6-60YLX, Power MOSFET, TrenchMOS, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, SOT-669, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8297714471
- Артикул
- PSMN5R6-60YLX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 32.1 ns
- Rise Time:
- 36.4 ns
Цена по запросу
(от 368 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 32.1 ns |
| Rise Time: | 36.4 ns |
| Вес, г | 0.153 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK-56-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934069895115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 167W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 66.8nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.026nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49.4 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.6mΩ@25A, 10V |