Моя заявка (0)
PSMN5R5-100YSFX, MOSFETs PSMN5R5-100YSF/ SOT669/LFPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018634267
Артикул
PSMN5R5-100YSFX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 251,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Nexperia Nexperia NextPower 80/100 В рекомендуются для применения в системаx с высокой эффективностью коммутации и высокой надежностью. МОП-транзисторы NextPower имеют на 50% меньший RDS (при включении) и высокий уровень энергопотребления. Эти устройства идеально подxодят для использования в системаx электропитания, телекоммуникацияx, промышленныx устройстваx, зарядныx устройстваx и адаптераx USB-PD Type-C, а также в адаптераx постоянного тока напряжением 48 В. Устройства отличаются низкими потерями на диодаx корпуса и коэффициентом полезного действия (Qrr) до 50 нанокулонов (nC). Это приводит к снижению обратного тока восстановления (IRR), уменьшению скачков напряжения (Vpeak) и уменьшению количества звонков для дальнейшей оптимизации времени простоя.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-669-5
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934661576115
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:64 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:238 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:115 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А115
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация