PSMN5R0-30YL,115,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 84 A, 0.00363 ohm, SOT-669, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8302862232
- Артикул
- PSMN5R0-30YL,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 4.1mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.123
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.1mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.123 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 61 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.15V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 91 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00363 Ом |