PSMN4R8-100BSEJ, N-channel 100 V 4.8 m standard level MOSFET in D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037844729
- Артикул
- PSMN4R8-100BSEJ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 69 ns
- Rise Time:
- 65 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 120А, 405Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 69 ns |
| Rise Time: | 65 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Part # Aliases: | 934067369118 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 196 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 405 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 41 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 127 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 405 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |