PSMN4R6-60BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024970075
- Артикул
- PSMN4R6-60BS,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- D2PAK, SOT404
- Width
- 11mm
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 361,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | D2PAK, SOT404 |
| Width | 11mm |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.83 |
| Gate charge | 70.8nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 100A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 211W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 8.6mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 565A |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 211 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 211 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.4mΩ@25A, 10V |