Моя заявка (0)

Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-263 PSMN4R3-30BL,118

Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-263 PSMN4R3-30BL,118

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8741274068
Артикул
PSMN4R3-30BL,118
Бренд
Nexperia B.V.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 302,87 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30 В 100 А (Tc) 103 Вт (Tc) для поверxностного монтажа D2PAK

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 15A, 10V
ОсобенностиEnhancement Mode
Power Dissipation (Max)103W(Tc)
Supplier Device PackageD2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2400 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт103
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация