PSMN4R2-30MLDX, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, SOT-1210, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8446379705
- Артикул
- PSMN4R2-30MLDX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Fall Time
- 8.7 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Rise Time
- 18.5 ns
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Fall Time | 8.7 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 18.5 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | LFPAK56-5 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 29.3 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1500 |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0035 Ом |