Моя заявка (0)

PSMN3R9-60PSQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 130А; Idm: 705А; 263Вт

PSMN3R9-60PSQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 130А; Idm: 705А; 263Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023474701
Артикул
PSMN3R9-60PSQ
Бренд
Nexperia B.V.
Case
SOT78, TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
2.02
Gate charge
103nC
Цена по запросу
(от 567 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-channel 60 V 3.9 mo FET

Технические параметры

CaseSOT78, TO220AB
MountingTHT
Вес, г2.02
Gate charge103nC
Polarisationunipolar
Drain current130A
Kind of channelenhancement
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation263W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.94mΩ
Drain-source voltage60V
Pulsed drain current705A
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада45 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора103 nC
Время нарастания41.4 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности263 W
Другие названия товара №934067464127
Id - непрерывный ток утечки130 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.94 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения62.7 ns
Типичное время задержки при включении25.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт263
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация