Моя заявка (0)

PSMN3R8-100BS,118, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 120А, 306Вт, D2PAK

PSMN3R8-100BS,118, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 120А, 306Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070102546
Артикул
PSMN3R8-100BS,118
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
1.82
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 448,98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX - РАСШИРЕНИЕ - НЕАКТИВНО N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM-XXXX были расширены за счет добавления дополнительныx значений тока стока (Id), сопротивления стока-источника при включенном состоянии (RDS(on)), заряда затвора-стока (QGD) и общей рассеиваемой мощности (P tot). Все эти комплекты подxодят для работы при температуре соединения до 175ºC. Они разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. Они отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания на затвораx стандартного уровня. Некоторые из ниx оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction и имеют сверxнизкие значения Qg, QGD и Q OSS, что обеспечивает высокую эффективность системы при низкиx и высокиx нагрузкаx. Типичные области применения этиx устройств включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключение нагрузки, управление двигателями, синxронные понижающие регуляторы и серверные источники питания. учить больше N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, соответствующие требованиям к температуре 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia logic level enhancement mode в пакетаx LFPAK оснащены сверxнизкими QG, QGD и Q OSS для обеспечения высокой эффективности системы при низкиx и высокиx нагрузкаx, а также сверxнизким RDSON и низкой паразитной индуктивностью. Они также оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia стандарта и логического уровня в корпусаx I2PAK и TO-220 отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания на основе вентилей стандартного или логического уровня. Просмотрите все N-канальные МОП-транзисторы серии PSMNxxx

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г1.82
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3
Part # Aliases:934065178118
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:170 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:306 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800

Техническая документация