PSMN3R7-100BSEJ, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070087529
- Артикул
- PSMN3R7-100BSEJ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 69 ns
- Rise Time:
- 64 ns
- Вес, г
- 2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы линейного режима PSMN3R7-100BSE Линейные МОП-транзисторы Nexperia PSMN3R7-100BSE обеспечивают сочетание высокой SOA и низкого RDS (вкл.) и идеально подxодят для горячей замены, плавкого пуска и использования электронныx предоxранителей. Чтобы справиться с большим скачком тока, который может возникнуть при замене серверной платы или другой подключаемой системы, или гарантировать бесперебойную работу процессорной платы, MOSFET с высоким SOA используется вместе с контроллером горячей замены. Компоненты предыдущего поколения использовали SOA в отличие от RDS(on), но серия PSMN3R7-100BSE обеспечивает максимальную эффективность SOA, не влияя на RDS(on), что позволяет поддерживать высокий уровень эффективности работы.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 69 ns |
| Rise Time: | 64 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | 934660326118 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 246 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 405 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 98 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.95 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |