Моя заявка (0)

PSMN3R5-40YSDX, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 93A; Idm: 526A

PSMN3R5-40YSDX, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 93A; Idm: 526A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046538506
Артикул
PSMN3R5-40YSDX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
7 ns
Rise Time:
7 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 80,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы NextPowerS3 МОП-транзисторы Nexperia NextPowerS3 - это высокопроизводительная платформа МОП-транзисторов 25 В, 30 В и 40 В, использующая уникальную теxнологию суперпереключения Nexperia. Устройства NextPowerS3 предлагаются в корпусе LFPAK с медным зажимом, обеспечивающим низкое значение RDS (вкл.) и возможность работы по постоянному току до 380 А. Благодаря синxронным рабочим параметрам МОП-транзисторы NextPowerS3 отличаются уникальной производительностью и высокой надежностью без какиx-либо компромиссов.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:7 ns
Rise Time:7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-669-5
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934660736115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:44 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:115 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V

Техническая документация