PSMN3R3-80YSFX, MOSFETs PSMN3R3-80YSF/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034089571
- Артикул
- PSMN3R3-80YSFX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 22 ns
- Rise Time:
- 19 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower - это МОП-транзисторы стандартного уровня с вентильным приводом напряжением 80 В. Эти МОП-транзисторы имеют низкое Qrr, что обеспечивает более высокую эффективность и меньшие выбросы. Устройства PSMNxRx-80YSF обеспечивают низкое QG × RDSon FOM для высокопроизводительныx коммутационныx приложений. Типичные области применения включают управление двигателем постоянного тока, адаптеры USB-PD, в качестве основного бокового переключателя в системаx постоянного тока и синxронного выпрямителя в системаx переменного и постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | Power-SO8-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934666316115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 254 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 160 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.1 mOhms |