PSMN3R3-80BS,118, MOSFETs PSMN3R3-80BS/SOT404/D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012186194
- Артикул
- PSMN3R3-80BS,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 72
Цена по запросу
(от 315,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 80 В 120 А (Tc) 306 Вт (Tc) для поверxностного монтажа D2PAK
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 72 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 306W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8161 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 306 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5mΩ@10V, 25A |