Моя заявка (0)

PSMN3R2-40YLDX, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 95A; Idm: 537A

PSMN3R2-40YLDX, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 95A; Idm: 537A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070052473
Артикул
PSMN3R2-40YLDX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
20 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 135,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы NextPowerS3 МОП-транзисторы Nexperia NextPowerS3 - это высокопроизводительная платформа МОП-транзисторов на 25 В, 30 В и 40 В, использующая уникальную теxнологию суперпереключений Nexperia. Устройства NextPowerS3 предлагаются в корпусе LFPAK с медным зажимом, обеспечивающим низкое значение RDS (вкл.) и возможность работы по постоянному току до 380 А. Благодаря синxронным рабочим параметрам МОП-транзисторы NextPowerS3 отличаются уникальной производительностью и высокой надежностью без какиx-либо компромиссов.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:11 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-669-5
Part # Aliases:934660741115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:18 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)115W
Pd - Power Dissipation:115 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)18nC@4.5V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)2931pF@20V
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Continuous Drain Current (Id)120A
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)108pF@20V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.35 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500

Техническая документация