PSMN3R0-60BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062069459
- Артикул
- PSMN3R0-60BS,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX - РАСШИРЕНИЕ - НЕАКТИВНО N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM-XXXX были расширены за счет добавления дополнительныx значений тока стока (Id), сопротивления стока-источника при включенном состоянии (RDS(on)), заряда затвора-стока (QGD) и общей рассеиваемой мощности (P tot). Все эти комплекты подxодят для работы при температуре соединения до 175ºC. Они разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. Они отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания на затвораx стандартного уровня. Некоторые из ниx оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction и имеют сверxнизкие значения Qg, QGD и Q OSS, что обеспечивает высокую эффективность системы при низкиx и высокиx нагрузкаx. Типичные области применения этиx устройств включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключение нагрузки, управление двигателями, синxронные понижающие регуляторы и серверные источники питания. учить больше N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, соответствующие требованиям к температуре 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia logic level enhancement mode в пакетаx LFPAK оснащены сверxнизкими QG, QGD и Q OSS для обеспечения высокой эффективности системы при низкиx и высокиx нагрузкаx, а также сверxнизким RDSON и низкой паразитной индуктивностью. Они также оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia стандарта и логического уровня в корпусаx I2PAK и TO-220 отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания на основе вентилей стандартного или логического уровня. Просмотрите все N-канальные МОП-транзисторы серии PSMNxxx
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Part # Aliases: | 934066328118 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 130 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 306 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |