PSMN3R0-30YLDX, MOSFETs PSMN3R0-30YLD/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006229751
- Артикул
- PSMN3R0-30YLDX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time
- 12.4 ns
Цена по запросу
(от 90,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Nexperia NextPowerS3 - это высокопроизводительная платформа МОП-транзисторов 25 В, 30 В и 40 В, использующая теxнологию superjunction от Nexperia. Устройства Nexperia NextPowerS3 предлагаются в корпусе LFPAK с медными зажимами, обеспечивающими низкий уровень RDS (при включении) и возможность подачи постоянного тока до 380 А. Синxронные рабочие параметры позволяют МОП-транзисторам NextPowerS3 обеспечивать высокую производительность и надежность.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time | 12.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 21 ns |
| Fall Time: | 12.4 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Nexperia |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | LFPAK56-5 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067966115 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 46.4 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 46.4 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1500 |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation | 91 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 91 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16.9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |