Моя заявка (0)

PSMN2R8-80BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 824А; 306Вт

PSMN2R8-80BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 824А; 306Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072818458
Артикул
PSMN2R8-80BS,118
Бренд
Nexperia B.V.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 070 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 80 В 120 А (Tc) 306 Вт (Tc) для поверxностного монтажа D2PAK

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)306W(Tc)
Supplier Device PackageD2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9961 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A(Tc)

Техническая документация