PSMN2R6-40YS,115,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, SOT-669, Surface Mount

Name: PSMN2R6-40YS,115,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, SOT-669, Surface Mount
Brand: Nexperia B.V.
SKU: 8042469430

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Цена по запросу

(от 463 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width	4.1mm
Pin Count	4
Вес, г	0.17
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Package Type	LFPAK, SOT-669
Mounting Type	Surface Mount
Структура	N-Channel
Transistor Material	Si
Особенности	-
Transistor Configuration	Single
Maximum Power Dissipation	131 W
Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Drain Source Resistance	3.7 mΩ
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Пороговое напряжение на затворе	4V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	131
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.002 Ом