Моя заявка (0)

PSMN2R6-30YLC,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 575А; 106Вт

PSMN2R6-30YLC,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 575А; 106Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070052084
Артикул
PSMN2R6-30YLC,115
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
106Вт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 105,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 30V 2.8mOhms

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation106Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокLFPAK56-5
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора39 nC
Drain Source On State Resistance0.00235Ом
Линейка ПродукцииNextPower
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность106Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.54В
Pd - рассеивание мощности106 W
Id - непрерывный ток утечки100 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки1500
Стиль Корпуса ТранзистораLFPAK56
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.54 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00235Ом

Техническая документация