Моя заявка (0)
PSMN2R0-100SSFJ, MOSFETs PSMN2R0-100SSF/ SOT1235/LFPAK88

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024469454
Артикул
PSMN2R0-100SSFJ
Бренд
Nexperia B.V.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 627,03 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 267 А (Tc) 341 Вт (Tc) для поверxностного монтажа LFPAK88 (SOT1235)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-1235
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Transistor Case StyleLFPAK88
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.07mOhm @ 25A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)341W(Tc)
Supplier Device PackageLFPAK88(SOT1235)
Drain Source Voltage Vds100V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id267A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs242 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16140 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C267A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А267
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация