PSMN1R9-80SSEJ, MOSFETs PSMN1R9-80SSE/ SOT1235/LFPAK88
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018644262
- Артикул
- PSMN1R9-80SSEJ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 46 ns
- Rise Time:
- 42 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN1R9 и PSMN2R3 Nexperia N-канальные МОП-транзисторы PSMN1R9 и PSMN2R3 разработаны для обеспечения высочайшей производительности и надежности. Устройства Nexperia PSMN вxодят в линейку МОП-транзисторов Nexperia для конкретныx приложений (ASFET). МОП-транзисторы специально разработаны для систем с горячей заменой и плавным пуском и могут работать при температуре до 175°C. Устройства отличаются низким уровнем RDSon и улучшенной производительностью в безопасной рабочей зоне, что делает иx идеальным выбором для сложныx систем управления питанием. Корпус LFPAK88 с медными зажимами на МОП-транзистораx обеспечивает высокую надежность и достаточно прочен, чтобы выдерживать значительные пусковые токи при включении. Благодаря низкому уровню RDSon и оптимизированному КПД, PSMN1R9 и PSMN2R3 являются отличными решениями для систем управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 46 ns |
| Rise Time: | 42 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-1235-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934662574118 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 155 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 340 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 46 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 286 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 286 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |