Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB PSMN1R8-30PL,127

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB PSMN1R8-30PL,127

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025115668
Артикул
PSMN1R8-30PL,127
Бренд
Nexperia B.V.
Width
4.7mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 570 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CHAN 30V 100A

Технические параметры

Width4.7mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation270 W
Typical Gate Charge @ Vgs170 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage1.3V
Qg - заряд затвора170 nC
Maximum Drain Source Resistance1.8 mΩ
Maximum Continuous Drain Current100 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности270 W
Другие названия товара №934064002127
Id - непрерывный ток утечки100 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20 V, +20 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.8 mOhms

Техническая документация