PSMN1R7-60BS,118, MOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021905333
- Артикул
- PSMN1R7-60BS,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 3.95
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 334,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 120А, 306Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 3.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Part # Aliases: | 934065175118 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 137 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 306 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 306 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |