PSMN1R7-40YLBX, MOSFETs PSMN1R7-40YLB/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034089192
- Артикул
- PSMN1R7-40YLBX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 164,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 40 В 200 А (Tc) 194 Вт (Tc) для поверxностного монтажа LFPAK56, мощность-SO8
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Schottky Diode(Body) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.05V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 194W(Tc) |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8138 pF @ 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3mΩ@80A, 10V |