PSMN1R7-30YL,115,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.00129 ohm, SOT-669, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8298932187
- Артикул
- PSMN1R7-30YL,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 4.1mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.39
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 366 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PSMN в корпусе LFPAK МОП-транзисторы Nexperia PSMN в корпусе LFPAK представляют собой N-канальные устройства логического уровня в корпусе LFPAK, которые выдерживают температуру до 150°C. Эти МОП-транзисторы разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. МОП-транзисторы PSMN в LFPAK оснащены усовершенствованной арxитектурой TrenchMOS, обеспечивающей низкий уровень шума и заряда затвора. Эти МОП-транзисторы PSMN в корпусе LFPAK также обеспечивают высокую эффективность импульсныx преобразователей мощности.
Технические параметры
| Width | 4.1mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.39 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 34 ns |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Maximum Power Dissipation | 109 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 77.9 nC @ 10 V |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Nexperia |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Торговая марка: | Nexperia |
| Упаковка / блок: | LFPAK-56-5 |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.15V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.4 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 77.9 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Время нарастания: | 72 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 109 W |
| Другие названия товара №: | 934063068115 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 100 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 1.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 76 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 46 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1500 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00129 Ом |