Моя заявка (0)

PSMN1R6-30MLHX, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 116A; Idm: 656A

PSMN1R6-30MLHX, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 116A; Idm: 656A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065846756
Артикул
PSMN1R6-30MLHX
Бренд
Nexperia B.V.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 641 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30 В 160 А (Tc) 106 Вт (Tc) для поверxностного монтажа LFPAK33

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-1210, 8-LFPAK33(5-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)106W(Tc)
Supplier Device PackageLFPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2369 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A(Tc)

Техническая документация