Моя заявка (0)

PSMN1R5-50YLHX, Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Surface Mount

PSMN1R5-50YLHX, Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009363621
Артикул
PSMN1R5-50YLHX
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
4
Вес, г
0.055
Channel Type
N Channel
Package Type
LFPAK56E
Цена по запросу
(от 1 020 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Nexperia представлен в корпусе LFPAK56E с постоянным током 200 А, логическим вентильным приводом и режимом N-канального усиления.

Технические параметры

Pin Count4
Вес, г0.055
Channel TypeN Channel
Package TypeLFPAK56E
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation333Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage50 V
Drain Source On State Resistance0.0014Ом
Maximum Continuous Drain Current200 A
Линейка ПродукцииNextPower-S3
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока200А
Рассеиваемая Мощность333Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.61В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds50В
Стиль Корпуса ТранзистораLFPAK56E
Пороговое напряжение на затворе4V
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0014Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт333
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0014 Ом

Техническая документация