PSMN1R5-30YLC,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 200А; Idm: 1016А; 179Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024654882
- Артикул
- PSMN1R5-30YLC,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand
- Nexperia
- Width
- 4.1mm
- Fall Time
- 38 ns
Цена по запросу
(от 148,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | Nexperia |
| Width | 4.1mm |
| Fall Time | 38 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 4 |
| Rise Time | 62 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.8 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | LFPAK56-5 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 65 nC |
| Power Dissipation | 179Вт |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1500 |
| Pd - Power Dissipation | 179 W |
| Power Dissipation (Pd) | 179W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 179 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 65nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 33 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.044nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.95V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.05V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.55 mOhms |
| Линейка Продукции | NextPower |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.51 V |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 179Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.51В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK56 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.95V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0013Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 179 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.55mΩ@10V, 25A |