PSMN1R4-40YLDX, MOSFETs PSMN1R4-40YLD/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006243958
- Артикул
- PSMN1R4-40YLDX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- N Channel
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 49 ns
Цена по запросу
(от 171,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 49 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068724115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 96 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 238W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 238 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 96nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 39 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.661nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.05 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 238 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4mΩ@10V, 25A |