PSMN1R4-30YLDX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 1019А; 166Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061895782
- Артикул
- PSMN1R4-30YLDX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 20.6 ns
- Rise Time:
- 28 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 20.6 ns |
| Rise Time: | 28 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068236115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 27.6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.44 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |