Моя заявка (0)

PSMN1R3-30YL,115, Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

PSMN1R3-30YL,115, Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002270558
Артикул
PSMN1R3-30YL,115
Бренд
Nexperia B.V.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Минимальный заказ: 167 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 100A 5-контактный (4+вкладки) LFPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveNo
Вес, г0.13
PCB changed4
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Triple Source
Package Width4.7(Max)
Package Length5.3(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageLFPAK
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)52
Typical Rise Time (ns)108
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)121000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)100|90
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)100@10V|46.6@4.5V|90@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)64
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)106
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.15
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)100
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6227@12V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1.3@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт121
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация