Моя заявка (0)

PSMN1R1-40BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 1320А; 306Вт

PSMN1R1-40BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 1320А; 306Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070057949
Артикул
PSMN1R1-40BS,118
Бренд
Nexperia B.V.
Type
null
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 464,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

40 В 120 А 1.3mOhm@25A,10 Напряжение 306 Вт, 4 В при 1 мА, нулевые МОП-транзисторы D2PAK, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

Typenull
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)306W
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)306W(Tc)
Supplier Device PackageD2PAK
Total Gate Charge (Qg@Vgs)136nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)9.71nF@20V
Continuous Drain Current (Id)120A
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9710 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A(Tc)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-

Техническая документация