Моя заявка (0)

PSMN1R1-30PL,127, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 120А; Idm: 1609А; 338Вт; TO220AB

PSMN1R1-30PL,127, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 120А; Idm: 1609А; 338Вт; TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023530233
Артикул
PSMN1R1-30PL,127
Бренд
Nexperia B.V.
Case
SOT78, TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
2.01
Gate charge
243nC
Цена по запросу
(от 917 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT78, TO220AB
MountingTHT
Вес, г2.01
Gate charge243nC
Channel TypeN Channel
ManufacturerNEXPERIA
Polarisationunipolar
КорпусTO220AB
Drain current120A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation338W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.8mΩ
Drain-source voltage30V
Pulsed drain current1609A
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0011Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока120А
Рассеиваемая Мощность338Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0011Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт338
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация